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PHYSICS OF ELECTRONIC DEVICES

Anno accademico e docente
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English course description
Anno accademico
2015/2016
Docente
ANGELO COTTA RAMUSINO
Crediti formativi
6
Periodo didattico
Primo Semestre
SSD
FIS/01

Obiettivi formativi

Il corso, che fornisce 6 CFU (42 ore), si propone di offrire allo studente la possibilità di comprendere i principi fisici di funzionamento dei principali dispositivi a semiconduttore impiegati nei sistemi microelettronici di acquisizione ed elaborazione dati e di vederne esempi di applicazione. Allo studente vengono offerte occasioni, in particolare durante le sessioni di laboratorio per affinare le proprie’ abilita’ nell’applicare le conoscenze acquisite.

Prerequisiti

E’ necessario che lo studente abbia acquisito le conoscenze fondamentali fornite dai corsi di Fisica Generale e dai Laboratori di Elettronica offerti nei primi due anni di questo Corso di Laurea.

Contenuti del corso

Il programma del corso comprende:

Introduzione alla tecnologia planare per la fabbricazione di circuiti integrati basati su silicio (Si)
Nozioni basilari di cristallografia e richiamo delle nozioni di meccanica quantistica alla base della comprensione della struttura energetica e della densita’ degli stati per i portatori di carica nel Si; funzione di Fermi e concentrazione dei portatori di carica all’equilibrio termico; generazione e ricombinazione dei portatori di carica nel Si e fenomeni di trasporto
Teoria della giunzione p-n in equilibrio, in polarizzazione inversa e diretta; giunzioni Schottky; confronto tra caratteristica I-V ideale e caratteristica reale; rottura della giunzione; modello a controllo di carica e transienti di accensione e spegnimento
Applicazione di diodi raddrizzatori, Varicap e Zener
Dispositivi SiPM (Silicon Photo Multiplier) per la rivelazione di singolo fotoelettrone
Teoria e applicazione di transistori bipolari a giunzione (BJT); modello di Ebers-Moll; modello equivalente per piccoli segnali; diagramma di Bode della risposta in frequenza di amplificatori a singolo stadio; progetto di un semplice amplificatore operazionale a BJT
Teoria e applicazione di transistori ad effetto di campo (MOSFET); equazione di Sichman-Hodges; modello equivalente per piccoli segnali; diagramma di Bode della risposta in frequenza di amplificatori a singolo stadio; progetto di un semplice amplificatore operazionale a MOSFET
Inverter CMOS; driver CMOS per carichi capacitivi; logica CMOS combinatoria e sequenziale; power-delay product
Laboratorio analogico: simulazione mediante SPICE degli esempi visti a lezione
Laboratorio digitale: sintesi automatica di circuiti digitali descritti in Hardware Description Language (HDL) ed esercitazione basata su ambiente di sviluppo per circuiti integrati di tipo FPGA (Field Programmable Gate Array)

Metodi didattici

lezioni frontali, esercizi di progetto e simulazione di circuiti analogici, sviluppo di progetti digitali per circuiti integrati FPGA

Modalità di verifica dell'apprendimento

Lo studente viene valutato con una prova orale che prevede:

l’esposizione di un argomento scelto dallo studente o di una relazione su uno degli esercizi di progetto o analisi visti durante il corso
la risposta a 2 domande proposte dalla commissione che possono includere l’analisi del funzionamento di un dispositivo inserito in circuito del tipo di quelli visti durante il corso
e che ha lo scopo di verificare le conoscenze e le abilita’ acquisite. Il voto finale risulta dalla media pesata delle valutazioni delle risposte

Testi di riferimento

S.M.Sze - Semiconductor Devices - John Wiley & Sons, 1985 - ISBN: 0-471-33372-7

J.Millman, - Microelectronics: Digital and Analog Circuits and Systems - McGraw-Hill,1972, ISBN: 007042327X


M.R.Haskard, I.C.May - Analog VLSI design nMOS and CMOS - Prentice Hall, 1988, ISBN: 0724800271



R. Gregorian - Introduction to CMOS op-amp and comparators - John Wiley & Sons, inc.,1999, ISBN: 0471317780


E.Gatti, P.F.Manfredi - Processing the signals from solid-state detectors in elementary-particle physics - La rivista del NUOVO CIMENTO Vol.9 N.1


R. Jacob Baker - CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) - IEEE Computer Society Press; 2010, ISBN-10: 0470881321, ISBN-13: 978-0470881323